MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3

Diodes Inc

包装:散装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:180mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):85pF @ 25V,功率 - 最大值:700mW,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体,供应商器件封装:TO-92-3

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